Leoben (OTS) – Der Traum vom Elektroauto, das in zehn Minuten
vollständig geladen
ist und dann 1000 Kilometer Reichweite liefert, ist nicht länger
unrealistisch. Moderne Akkus, Schnell-Ladestationen mit
entsprechender Leistung und effiziente Elektronik auf
Halbleiterbasis, um die hohen Spannungen und Stromstärken zu managen,
haben in den vergangenen Jahren dafür gesorgt, dass Elektroautos auch
in Sachen Reisekomfort immer konkurrenzfähiger geworden sind. Um hier
weitere Verbesserungen zu erzielen, sind allerdings grundlegende
Veränderungen an der Leistungselektronik erforderlich.

„ Der Wechselstrom aus dem Netz wird mit Umrichtern in
Gleichstrom verwandelt, der in den Akkus gespeichert werden kann. Je
höher die elektrische Leistung ist, die das System aufnehmen kann,
desto schneller kann ich ein E-Auto laden. Das erfordert aber
Leistungselektronik, die mit hohen Stromstärken und Spannungen
umgehen kann. Derzeitige Umrichter nutzen Halbleiterschaltungen, die
mit Drahtbonding-Technologie angeschlossen werden, deren Lebensdauer
sinkt, wenn die geforderten Leistungen weiter steigen. Wir haben
Lösungen entwickelt, die es den Automobilherstellern erlauben, die
nächsten Generationen ihrer Schnell-Ladetechnologien zu verwirklichen
“, sagt AT&S-CTO Peter Griehsnig.

Zwtl.: Leichter, widerstandsfähiger und grüner

AT&S kombiniert alternative Halbleitermaterialien wie
Galliumnitrid und Siliziumkarbid mit innovativer Power-Embedding-
Technologie, um Schalter für Umrichter zu produzieren, die kleiner,
langlebiger und effizienter sind als bestehende Modelle. „ Unsere
eingebetteten Halbleiterchips vertragen bis zu 1500 Volt und bis zu
200 Ampere. Umrichter mit unserer Embedding-Technologie brauchen
weniger Platz, sparen Gewicht und sind flexibel im Design. Zahlreiche
Autohersteller zeigen deshalb bereits Interesse und arbeiten mit uns
in mehreren EU-Forschungsprojekten wie “HiEfficient” und “HiPower
5.0” an zukünftigen Entwicklungen “, erklärt Mike Morianz, Program
Manager bei AT&S.

Module mit Halbleitern aus Galliumnitrid und Siliziumkarbid
werden derzeit mit Drahtbonding-Technologie hergestellt. AT&S schafft
es mit seinem Power Embedding, mehrere Halbleiterchips parallel mit
Microvia-Verbindungstechnologie und Sinterlaminierung nach
vorgegebenen Designs einzubetten. „ Dadurch lassen sich Effizienz und
Zuverlässigkeit deutlich steigern. Die Verluste sind geringer, die
Lösung nimmt nur halb so viel Platz in Anspruch und überdauert im
Vergleich zu herkömmlicher Technologie zehnmal so viele Schaltzyklen
“, sagt Morianz.

Nicht nur in Elektroautos werden Reichweite und Schnell-
Ladetechniken immer wichtiger. In Skandinavien werden derzeit bereits
akkubetriebene Fähren getestet, die innerhalb der kurzen Anlegezeiten
in nur wenigen Minuten geladen werden können. Auch in diesem Bereich
kann AT&S Partnern helfen, die Verkehrs- und Transportinfrastruktur
von morgen langlebiger und nachhaltiger zu gestalten.

AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft –
Advanced Technologies & Solutions

AT&S ist ein weltweit führender Hersteller von hochwertigen IC-
Substraten und Leiterplatten sowie Entwickler zukunftsweisender
Verbindungstechnologien für die Kernbereiche Mobile Endgeräte,
Automotive & Aerospace, Industrial, Medical und
Hochleistungscomputing für VR- und KI-Anwendungen. AT&S verfügt über
eine globale Präsenz mit Produktionsstandorten in Österreich (Leoben,
Fehring) sowie Werken in Indien (Nanjangud) und China (Shanghai,
Chongqing). In Malaysia (Kulim) wurde eine neue High-End-
Produktionsstätte für IC-Substrate in Betrieb genommen, Anfang 2025
startete die Großserienfertigung. In Leoben errichtete AT&S Europas
erstes Kompetenzzentrum für R&D und IC-Substrat-Produktion, dieses
wurde im Juni 2025 eröffnet. Das Unternehmen beschäftigt weltweit
etwa 13.000 Mitarbeiter:innen. Weitere Infos auch unter www.ats.net